Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 35 A, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

4,52 €

(ohne MwSt.)

5,38 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 264 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 182,26 €4,52 €
20 - 482,015 €4,03 €
50 - 981,91 €3,82 €
100 - 1981,775 €3,55 €
200 +1,64 €3,28 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5864
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4615PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der einfache N-Kanal-StrongIRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Breite Palette von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern mit hohem Nennstrom.

Hochstromträgergehäuse

Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.