ROHM RS6G100BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 100 A 59 W, 8-Pin HSOP
- RS Best.-Nr.:
- 260-6155
- Herst. Teile-Nr.:
- RS6G100BGTB1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 260-6155
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- RS6G100BGTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | HSOP | |
| Serie | RS6G100BG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße HSOP | ||
Serie RS6G100BG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM hat einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine maximale Verlustleistung von 59 Watt. Es wird in einem leistungsstarken kleinen Gehäuse HSOP8 geliefert und wird für Schaltanwendungen verwendet.
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Beschichtung
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