STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 261-4759
- Herst. Teile-Nr.:
- STP65N150M9
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 50 - 50 | 2,652 € | 132,60 € |
| 100 - 100 | 2,551 € | 127,55 € |
| 150 + | 2,488 € | 124,40 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 261-4759
- Herst. Teile-Nr.:
- STP65N150M9
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 28.9mm | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 28.9mm | ||
Breite 10.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Bereich geeignet ist. Die siliziumbasierte M9-Technologie profitiert von einem Mehrfachdrain-Herstellungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt hat einen der niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand und einen reduzierten Gate-Ladungswert unter allen siliziumbasierten Super-Junction-Leistungs-MOSFETs mit schnellem Schalten, womit es besonders geeignet für Anwendungen ist, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.
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