STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET / 20 A, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
261-5483P
Herst. Teile-Nr.:
STD65N160M9
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction-MDmesh-M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche geeignet ist. Die siliziumbasierte M9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht.

Höhere VDSS-Einstufung

Ausgezeichnete Schaltleistung

Einfach zu steuern

100 % Lawinengeprüft

Zenergeschützt

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