STMicroelectronics MDmesh K6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 10 A, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
261-5484
Herst. Teile-Nr.:
STP80N450K6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

MDmesh K6

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.6Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25.9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der beste Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Weltweit beste RDS(on) x Fläche

Weltweit beste FOM (Figure of Merit)

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Lawinengeprüft

Zenergeschützt

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