Infineon EiceDRIVER Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.3 W, 24-Pin DSO
- RS Best.-Nr.:
- 262-5812
- Herst. Teile-Nr.:
- 6ED2231S12TXUMA1
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Serie | EiceDRIVER | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 17.9mm | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Serie EiceDRIVER | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 24 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 17.9mm | ||
Höhe 2.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Hochspannungs-IGBT- oder SiC-MOSFET-Gate-Treiber von Infineon mit hoher Spannung und hoher Geschwindigkeit mit drei unabhängigen Hoch- und Niederspannungsausgangskanälen für Dreiphasenanwendungen.
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