Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin DSO

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.470,00 €

(ohne MwSt.)

1.750,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,588 €1.470,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-5906
Herst. Teile-Nr.:
BSO201SPHXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

DSO

Serie

OptiMOS P

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.65mm

Breite

4 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links