Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 262-5859
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
6,00 €
(ohne MwSt.)
7,15 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 95 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 550 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,20 € | 6,00 € |
| 50 - 120 | 1,092 € | 5,46 € |
| 125 - 245 | 1,022 € | 5,11 € |
| 250 - 495 | 0,948 € | 4,74 € |
| 500 + | 0,876 € | 4,38 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-5859
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 100 A 300 W TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 120 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263