Infineon IPB029N06NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 120 A, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 262-5859
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
1,694 €
(ohne MwSt.)
2,016 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,694 € | 8,47 € |
| 50 - 120 | 1,54 € | 7,70 € |
| 125 - 245 | 1,44 € | 7,20 € |
| 250 - 495 | 1,338 € | 6,69 € |
| 500 + | 1,236 € | 6,18 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 262-5859
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
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