Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 120 V / 120 A IPB038N12N3GATMA1 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 259-1546
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB038N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPB038N12N3GATMA1
- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 120-V-Optimos-Familie von Infineon bietet gleichzeitig die niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand der Branche und das schnellste Schaltverhalten, wodurch eine hervorragende Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen erreicht werden kann. Die 120-V-Optimos-Technologie bietet neue Möglichkeiten für optimierte Lösungen.
Ausgezeichnete Schaltleistung
Weltweit niedrigste R DS(on)
Sehr geringe Q g und Q gd
Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)
RoHS-konform, halogenfrei
MSL1-Schutzart 2
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