Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 120 V / 120 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
259-1545
Herst. Teile-Nr.:
IPB038N12N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die 120-V-Optimos-Familie von Infineon bietet gleichzeitig die niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand der Branche und das schnellste Schaltverhalten, wodurch eine hervorragende Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen erreicht werden kann. Die 120-V-Optimos-Technologie bietet neue Möglichkeiten für optimierte Lösungen.

Ausgezeichnete Schaltleistung

Weltweit niedrigste R DS(on)

Sehr geringe Q g und Q gd

Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)

RoHS-konform, halogenfrei

MSL1-Schutzart 2

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