Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.1 A, 4-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

11,35 €

(ohne MwSt.)

13,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 250 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 1000,454 €11,35 €
125 - 2250,431 €10,78 €
250 - 6000,413 €10,33 €
625 - 12250,272 €6,80 €
1250 +0,216 €5,40 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6766
Herst. Teile-Nr.:
IRFL024ZTRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.075Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über zusätzliche Merkmale wie 175 °C-Betriebstemperatur an der Verbindung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

Verwandte Links