Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 2.8 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 830-3307
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-472
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL014NTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.739mm | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.739mm | ||
Breite 3.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 2,8A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,1W maximale Verlustleistung - IRLL014NTRPBF
Dieser MOSFET von Infineon, der zur HEXFET-Familie gehört, ist für hohe Leistung in verschiedenen elektrischen und elektronischen Anwendungen ausgelegt. Als N-Kanal-Bauelement, das im Anreicherungsmodus arbeitet, spielt es eine wichtige Rolle im Energiemanagement von Geräten, die unter schwierigen Bedingungen eine hohe Zuverlässigkeit erfordern. Fortschrittliche Technologien sind integriert, um große elektrische Lasten effektiv zu verwalten und gleichzeitig ein kompaktes Design zu erhalten.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler Dauerverbrauchsstrom von 2,8 A für zuverlässige Leistung
• Breiter Spannungsbereich bis zu 55 V für verschiedene Anwendungen
• Niedriger Drain-Source-On-Widerstand von 280 mΩ minimiert Leistungsverluste
• Hohe thermische Stabilität mit einer maximalen Betriebstemperatur von +150°C
• Verbesserte Optionen für die Gate-Schwellenspannung zur Verbesserung der Schaltfähigkeit
• Konzipiert für oberflächenmontierte Anwendungen, die die PCB-Integration erleichtern
Anwendungsbereich
• Einsatz in Automatisierungssystemen zur effektiven Motorsteuerung
• Wird in Stromversorgungsschaltungen zur effizienten Spannungsregelung eingesetzt
• Geeignet zum Schalten in elektronischen Geräten
• Integriert in Batteriemanagementsysteme für optimierte Energienutzung
• Einsetzbar in LED-Treibern zur Verbesserung der Steuerungseffizienz
Welche Montagetechnik wird für eine optimale Leistung empfohlen?
Die Verwendung von Oberflächenmontagetechniken sorgt für eine verbesserte thermische Leistung und Platzersparnis auf Leiterplatten.
Wie sollte die maximale Gate-Source-Spannung beim Entwurf von Schaltungen berücksichtigt werden?
Es ist wichtig, die Gate-Source-Spannung innerhalb der spezifizierten Grenzen von -16 V bis +16 V zu halten, um die Integrität und Leistung des Geräts zu gewährleisten.
Kann dieses Bauteil hohen Temperaturen in Betriebsumgebungen standhalten?
Er ist für den Betrieb in Umgebungen von bis zu +150°C ausgelegt und eignet sich daher für Hochtemperaturanwendungen.
Ist es mit Niederspannungsbatteriesystemen kompatibel?
Ja, er ist in der Lage, Niederspannungsanwendungen zu verwalten und bietet gleichzeitig eine effektive Leistungssteuerung und Schalteffizienz.
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