Infineon HEXFET IRLL014NTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 2,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 168-8748
Herst. Teile-Nr.:: IRLL014NTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRLL014NTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 2,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2500 - 2500	0,229 €	572,50 €
5000 - 5000	0,217 €	542,50 €
7500 +	0,203 €	507,50 €

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RS Best.-Nr.:: 168-8748
Herst. Teile-Nr.:: IRLL014NTRPBF
Marke:: Infineon

IRLL014N, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,8 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	280 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	3.7mm
Länge	6.7mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	9,5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.739mm

Infineon HEXFET IRLL014NTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 2,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

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