Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.2 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

13,78 €

(ohne MwSt.)

16,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 180 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 600 Einheit(en) mit Versand ab 28. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 800,689 €13,78 €
100 - 1800,531 €10,62 €
200 - 4800,496 €9,92 €
500 - 9800,463 €9,26 €
1000 +0,427 €8,54 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
830-3304
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-474
Herst. Teile-Nr.:
IRLL2705TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.7mm

Höhe

1.739mm

Breite

3.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 5,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,1W maximale Verlustleistung - IRLL2705TRPBF


Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bietet er hervorragende Schalteigenschaften und eignet sich daher für Aufgaben, die eine schnelle Reaktion und einen minimalen Energieverlust erfordern. Dieses Bauteil erhöht die Effizienz und Zuverlässigkeit elektronischer Schaltungen, insbesondere in Automatisierungs- und Kontrollsystemen.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 5,2A

• Drain-Source-Spannung von 55 V

• Niedriger Rds(on) von 65mΩ für effizienten Betrieb

• Kompaktes SOT-223-Gehäuse für platzsparende Designs

Anwendungsbereich


• Ideal für Stromversorgungsschaltungen

• Einsatz in Energiemanagementsystemen für Kraftfahrzeuge

• Häufig verwendet zum Schalten in Hochfrequenzschaltungen

• Lässt sich gut in Wechselrichter für erneuerbare Energiesysteme integrieren

Wie hoch ist die maximale Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?


Das Produkt unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V, was eine robuste Leistung in verschiedenen Anwendungen ermöglicht.

Kann es bei hohen Temperaturen arbeiten?


Ja, er ist für eine maximale Betriebstemperatur von +150 °C ausgelegt, was die Zuverlässigkeit in schwierigen Umgebungen gewährleistet.

Wie bewältigt dieses Bauteil die Wärme während des Betriebs?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 2,1 W sorgt er für ein effektives Wärmemanagement und reduziert das Risiko einer Überhitzung.

Ist sie mit Standard-PCB-Designs kompatibel?


Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontage geeignet und lässt sich leicht in Standard-Leiterplattenlayouts integrieren.

Was macht sie zu einer geeigneten Wahl für Automatisierungsprojekte?


Sein schnelles Schaltvermögen und sein geringer Einschaltwiderstand tragen zu erheblichen Energieeinsparungen bei und erhöhen die Effizienz automatisierter Systeme.

Verwandte Links