Infineon HEXFET IRLL2705TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5,2 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 168-8747
Herst. Teile-Nr.:: IRLL2705TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRLL2705TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5,2 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:: 168-8747
Herst. Teile-Nr.:: IRLL2705TRPBF
Marke:: Infineon

IRLL2705, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5,2 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	65 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.7mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	32 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	3.7mm
Höhe	1.739mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRLL2705TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5,2 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

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