Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
262-6788P
Herst. Teile-Nr.:
IRLU3410PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er hat einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Schnelles Schalten

Vollständig lawinenbeständig