Renesas Electronics ISL6144 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 8 A 1 W, 20-Pin QFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

7,99 €

(ohne MwSt.)

9,51 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
1 - 97,99 €
10 - 247,22 €
25 - 1196,88 €
120 - 2995,98 €
300 +5,70 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
263-0247
Herst. Teile-Nr.:
ISL6144IRZA
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

QFN

Serie

ISL6144

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

20

Drain-Source-Widerstand Rds max.

19mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

20mV

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

105°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.9 mm

Länge

5mm

Höhe

6.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der MOSFET-Controller von Renesas Electronics bietet einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET in geeigneter Größe, der die Leistungsverteilungseffizienz und -verfügbarkeit beim Austausch einer Leistungs-ORing-Diode in Hochstromanwendungen erhöht. Es besteht außerdem aus einer Rückstromfehlerisolierung.

Offener Ablass, aktiver Fehlerarmer Ausgang

Interne Ladungspumpe

Verwandte Links