ROHM RD3P100SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 20 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

5,65 €

(ohne MwSt.)

6,70 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.375 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,13 €5,65 €
50 - 951,008 €5,04 €
100 - 2450,792 €3,96 €
250 - 9950,778 €3,89 €
1000 +0,662 €3,31 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-3813
Herst. Teile-Nr.:
RD3P100SNTL1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3P100SN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

133mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand von ROHM eignet sich zum Schalten, ist einfach zu steuern und kann Pb-frei beschichtet werden und ist RoHS-konform.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Verwandte Links