Microchip VN2110 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 100 V / 0.6 A 0.36 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
264-8942
Herst. Teile-Nr.:
VN2110K1-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

VN2110

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

MOSFET

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.36W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Breite

1.3 mm

Länge

2.9mm

Automobilstandard

Nein

Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundären Störungen

Geringe Leistungsanforderung des Antriebs

Einfaches Parallelieren

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

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