ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A, 4-Pin TO-247

Der ROHM-MOSFET ist ein SiC-MOSFET mit einer Trench-Gate-Struktur, die für eine Reihe von Anwendungen optimiert ist, einschließlich Server-Netzteile, Solar-Wechselrichter, Schaltnetzteile, Motorantriebe, Induktionsheizung und EV-Ladestationen, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Es wird ein neues 4-poliges Gehäuse verwendet, das die Stromversorgungs- und Treiberquellen-Anschlussklemmen trennt, wodurch es möglich ist, die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung zu maximieren. Dies verbessert insbesondere die EIN-Verluste, und infolgedessen können die gesamten EIN- und AUS-Verluste im Vergleich zum herkömmlichen 3-poligen Gehäuse um bis zu 35 % reduziert werden.

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand