ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 39 A, 4-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 450 Stück)*

3.159,90 €

(ohne MwSt.)

3.760,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
450 +7,022 €3.159,90 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
266-3889
Herst. Teile-Nr.:
SCT3060ARHRC15
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

39A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-MOSFET ist ein SiC-MOSFET mit einer Trench-Gate-Struktur, die für Server-Netzteile, Solar-Wechselrichter und EV-Ladestationen optimiert ist, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Es wird ein neues 4-poliges Gehäuse verwendet, das die Stromversorgungs- und Treiberquellen-Anschlussklemmen trennt, wodurch es möglich ist, die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung zu maximieren. Dies verbessert insbesondere die EIN-Verluste, und infolgedessen können die gesamten EIN- und AUS-Verluste im Vergleich zum herkömmlichen 3-poligen Gehäuse um bis zu 35 % reduziert werden.

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfach zu betreiben

Bleifreie Leiterbeschichtung

Schnelle umgekehrte Erholung

Verwandte Links