Vishay SIDR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 227 A 150 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
268-8284
Herst. Teile-Nr.:
SIDR626EP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

227A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Serie

SIDR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00174Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

102nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 4 von Vishay verfügt über eine Kühlungsfunktion auf der Oberseite und bietet einen zusätzlichen Ort für die Wärmeübertragung. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebsschalter, Batterie- und Lastschalter verwendet.

Abstimmt auf die niedrigste Leistungszahl

ROHS-konform

UIS-geprüft zu 100 Prozent

Verwandte Links