Vishay SIDR626EP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 227 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- RS Best.-Nr.:
- 268-8284
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR626EP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 268-8284
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR626EP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 4 von Vishay verfügt über eine Kühlungsfunktion auf der Oberseite und bietet einen zusätzlichen Ort für die Wärmeübertragung. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebsschalter, Batterie- und Lastschalter verwendet.
Abstimmt auf die niedrigste Leistungszahl
ROHS-konform
UIS-geprüft zu 100 Prozent
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Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 227 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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