Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung auf Leiterplattenbaugruppen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für industrielle Steuerungs- und Leistungsumwandlungsumgebungen, in denen eine robuste Spannungsverarbeitung und thermische Toleranz erforderlich sind.

• Die Ablassspannung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 16 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • Niedrige Rds(on) von 0,193 Ω reduziert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung • Die Verlustleistung von 114 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme • Typische Gate-Ladung von 32 nC unterstützt mäßig schnelle Schaltgeschwindigkeiten • Maximaler Gate-Antrieb von 30 V ermöglicht flexible Gate-Control-Designs

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter • Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Systemen • Wird für das Schalten von Motorantrieben in Automatisierungsgeräten verwendet • Kann für die Beleuchtung von Vorschaltgeräten und die Steuerung von elektronischen Transformatoren verwendet werden

Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Umgebungstemperaturschwankungen.

Es ist für die Leiterplattenmontage in einem PowerPAK 10 x 12-Gehäuse mit acht Stiften vorgesehen, sodass das Leiterplatten-Layout ausreichende thermische Durchgänge und Kupferfläche für die Wärmeverteilung bieten sollte.

Das Gate darf ±30 V im Verhältnis zur Quelle nicht überschreiten, daher sollten Gate-Drive-Schaltkreise eine Klemmung oder Regelung umfassen, um Überspannungen zu verhindern.

Die typische Gate-Ladung beträgt 32 nC bei der spezifizierten Gate-Vorspannung, was den erforderlichen Antriebsstrom und die Schaltverluste für die Gate-Treiber-Größe anzeigt.