Vishay SIR5710DP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 26,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8334
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5710DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 268-8334
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5710DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 5 von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebssteuerung, Netzteile eingesetzt.
Sehr geringe Verdienstzahl
ROHS-konform
UIS 100 Prozent getestet
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UIS 100 Prozent getestet
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 26,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
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