Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 106 A, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 273-2632
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0902NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2632
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0902NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 106A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.35mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 106A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.35mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET für 30 V. Dieser MOSFET ist 100 % gegen Lawinendurchbruch getestet. Er ist gemäß JEDEC uneingeschränkt für Zielanwendungen qualifiziert und für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Bleibeschichtung
Sehr geringer Widerstand
Hervorragende Wärmebeständigkeit