Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 169 A 167 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
273-2794
Herst. Teile-Nr.:
IPT029N08N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

169A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit 80 V und eignet sich ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchronisierte Gleichrichtung. Er ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist vollständig gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen qualifiziert und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform

Bleifreie Beschichtung

Exzellente Gate-Ladung

Sehr geringer Widerstand

Zu 100 Prozent auf Lawinendurchbruch getestet

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