Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6 A 62.5 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
273-3000
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R660CFDAATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.66Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

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