Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 15.2 A 62.5 W, 8-Pin TDSON

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906-4400
Herst. Teile-Nr.:
BSC900N20NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.35mm

Länge

6.1mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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