Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 15.2 A 62.5 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
178-7500
Herst. Teile-Nr.:
BSC900N20NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Länge

6.1mm

Breite

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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