Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4.7 A 26 W, 3-Pin PG-TO252-3

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

6,88 €

(ohne MwSt.)

8,19 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.470 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 400,688 €6,88 €
50 - 900,582 €5,82 €
100 - 2400,541 €5,41 €
250 - 9900,53 €5,30 €
1000 +0,52 €5,20 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-3010
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V Cool MOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das Cool MOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Die Produkte werden mit einer integrierten schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet. Die schnelle Gehäuse-Diode und der branchenführende SMD-Pack von Infineon

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung

Verwandte Links