STMicroelectronics STL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 188 W, 4-Pin ECOPACK
- RS Best.-Nr.:
- 273-5100P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL260N4F7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STL260N4F7
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | ECOPACK | |
| Serie | STL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße ECOPACK | ||
Serie STL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET-F7-Technologie mit einer verbesserten Trunking-Gate-Struktur, die zu einem sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand führt und gleichzeitig die innere Kapazität und die Gate-Ladung für eine schnellere und effizientere Schaltung reduziert.
AEC-Q101-qualifiziert
Ausgezeichnete FoM
Hohe Lawinenfestigkeit