Infineon CoolMOSTMPFD7, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 25 W, 3-Pin PG-TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 273-7460
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7460
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220 | |
| Serie | CoolMOSTMPFD7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO-220 | ||
Serie CoolMOSTMPFD7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET bietet die revolutionäre Cool MOS-Technologie für Hochspannungs-MOSFETs. Er wurde nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und ist eine Pionierleistung von Infineon Technologies. Der neueste Cool MOS PFD7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensitive Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegeräte, Adapter, Motorantriebe, Beleuchtung usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super-Sperrschicht-MOSFETs, kombiniert mit einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis und modernster Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden sehr schlanke Designs anstreben können.
Schnelle Body-Diode
Extrem niedrige Verluste
Niedrige Schaltverluste Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Hervorragende Kommutierungsrobustheit
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