Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin PG-TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

3,07 €

(ohne MwSt.)

3,654 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 470 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 81,535 €3,07 €
10 - 181,38 €2,76 €
20 - 981,36 €2,72 €
100 - 2481,11 €2,22 €
250 +0,985 €1,97 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-7467
Herst. Teile-Nr.:
IPP086N10N3GXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-TO-220

Serie

OptiMOS-TM3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC1

Höhe

1.5mm

Länge

40mm

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC1 für die Zielanwendung qualifiziert. Er ist ein N-Kanal-MOSFET und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-konform

Hervorragende Gate-Ladung

Sehr niedriger Durchgangswiderstand

Verwandte Links