STMicroelectronics STW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung / 56 A 312 W, 3-Pin STWA60N043DM9 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
STWA60N043DM9
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Gehäusegröße

TO-247

Serie

STW

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

43mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh DM9-Technologie, die für Mittel- oder Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche und einer schnellen Erholungsdiode geeignet ist. Die siliziumbasierte DM9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht.

Schnellwiederherstellungs-Gehäuse-Diode

Weltweit beste RDS pro Bereich unter Silizium-basierten Schnellwiederherstellungsgeräten

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100 % Lawinengeprüft

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