Vishay SIHF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 35 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

236,90 €

(ohne MwSt.)

281,90 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 504,738 €236,90 €
100 +4,212 €210,60 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
279-9908
Herst. Teile-Nr.:
SIHF085N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

SIHF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

35W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E mit Fast-Body-Diode, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität

Avalanche-Energie-Nennwert

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Verwandte Links