Vishay SIJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 44.4 A 73.5 W, 7-Pin SO-8L

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RS Best.-Nr.:
279-9936
Herst. Teile-Nr.:
SIJ4819DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SIJ

Gehäusegröße

SO-8L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0207Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

73.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.13mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Geringerer Spannungsabfall

Geringerer Leitungsverlust

Vollständig bleifreies Bauteil (Pb)

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