Vishay SIJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 44.4 A 73.5 W, 7-Pin SO-8L

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*

12,612 €

(ohne MwSt.)

15,008 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
4 - 563,153 €12,61 €
60 - 962,863 €11,45 €
100 - 2362,548 €10,19 €
240 - 9962,493 €9,97 €
1000 +2,443 €9,77 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
279-9936
Herst. Teile-Nr.:
SIJ4819DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8L

Serie

SIJ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0207Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

73.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.13mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Geringerer Spannungsabfall

Geringerer Leitungsverlust

Vollständig bleifreies Bauteil (Pb)

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.