Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 265 A 240 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9972
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
4.500,00 €
(ohne MwSt.)
5.340,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,50 € | 4.500,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9972
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 265A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SIRS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0018Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 122nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 265A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SIRS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0018Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 122nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet