Vishay SISD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 198 A 57 W, 8-Pin 1212-F

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.917,00 €

(ohne MwSt.)

2.280,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 6.000 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,639 €1.917,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
279-9978
Herst. Teile-Nr.:
SISD5300DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

198A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SISD

Gehäusegröße

1212-F

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00087Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Verwandte Links