STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 68 W, 3-Pin STP80N900K6 TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 285-5915
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N900K6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | STP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 900mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 28.9mm | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie STP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 900mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 28.9mm | ||
Breite 10.4 mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET für sehr hohe Spannungen von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics mit der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der beste Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Weltweit bester RDS(on) x Fläche
Weltweit bester FOM (Figure of Merit)
Extrem niedrige Gate-Ladung
100 % Avalanche-getestet
Zener-geschützt
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