STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 68 W, 3-Pin STP80N900K6 TO-220

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RS Best.-Nr.:
285-5914
Herst. Teile-Nr.:
STP80N900K6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

STP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

28.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.6mm

Breite

10.4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET für sehr hohe Spannungen von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics mit der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der beste Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Weltweit bester RDS(on) x Fläche

Weltweit bester FOM (Figure of Merit)

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Avalanche-getestet

Zener-geschützt

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