STMicroelectronics MASTERG Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9.7 A 40 mW, 31-Pin QFN-9

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RS Best.-Nr.:
287-7040
Herst. Teile-Nr.:
MASTERGAN1LTR
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

MASTERG

Gehäusegröße

QFN-9

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

31

Drain-Source-Widerstand Rds max.

220mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

40mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

9 mm

Länge

9mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

RoHS, ECOPACK

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der STMicroelectronics-Mikrocontroller ist ein fortschrittliches Leistungssystem in einem Gehäuse, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten Leistungs-GaNs haben einen RDS(ON) von 150 mΩ und eine Drain-Source-Sperrspannung von 650 V, während die hohe Seite des eingebetteten Gate-Treibers problemlos von der integrierten Bootstrap-Diode versorgt werden kann.

Nullverlust bei Rückwärtsfahrt

UVLO-Schutz bei VCC

Interne Bootstrap-Diode

Interlocking-Funktion

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