onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 325-7619
- Herst. Teile-Nr.:
- RFD14N05LSM
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
0,83 €
(ohne MwSt.)
0,99 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 42 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 21 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,83 € |
| 10 - 99 | 0,68 € |
| 100 - 499 | 0,47 € |
| 500 - 999 | 0,42 € |
| 1000 + | 0,38 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 325-7619
- Herst. Teile-Nr.:
- RFD14N05LSM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin RFD14N05LSM TO-252
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin RFD14N05SM9A TO-252
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin RFD14N05LSM9A TO-252
- onsemi NTD3055L104 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi NTD3055L104 Typ N-Kanal 3-Pin NTD3055L104T4G TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin FDD120AN15A0 TO-252