STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin D2PAK

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RS Best.-Nr.:
485-7254
Herst. Teile-Nr.:
STB55NF06
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

STripFET II

Gehäusegröße

D2PAK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

18 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

110 W

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

44,5 nC bei 10 V

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

9.35mm

Höhe

4.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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