Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin IRF3710PBF TO-220

RS Best.-Nr.:: 540-9812
Distrelec-Artikelnummer:: 302-84-009
Herst. Teile-Nr.:: IRF3710PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin IRF3710PBF TO-220

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Distrelec-Artikelnummer:: 302-84-009
Herst. Teile-Nr.:: IRF3710PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	57A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	23mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	200W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	130nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	8.77mm
	Breite	4.69 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.54mm
	Distrelec Product Id	302-84-009
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 200W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 8.77mm
	Breite 4.69 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.54mm
	Distrelec Product Id 302-84-009
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: PH

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 57A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF3710PBF

Dieser MOSFET ist ein langlebiger Leistungshalbleiter, der in verschiedenen elektronischen Anwendungen unverzichtbar ist. Es ist auf hohe Effizienz ausgelegt und zeichnet sich durch geringen Widerstand und hervorragende thermische Eigenschaften aus, was es für moderne Elektronik in Bereichen wie Automatisierung und Mechanik wichtig macht.

Eigenschaften und Vorteile

• Verwendet HEXFET-Technologie für niedrigen On-Widerstand

• Bewältigt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 57 A

• Funktioniert effektiv innerhalb einer Drain-Source-Spannung von 100 V

• Ermöglicht schnelles Umschalten zur Verbesserung der Gesamtleistung

• Ausgelegt für den Betrieb bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von +175°C

• Optimiert für Wärmemanagement mit minimaler Wärmeentwicklung

Anwendungsbereich

• Einsatz in Kfz-Antriebssystemen für effizientes Energiemanagement

• Geeignet für Stromversorgungsschaltungen zur Verbesserung der Energieeffizienz

• Einsetzbar in Motorsteuerungssystemen für Hochstromszenarien

• Effektiv in der industriellen Automatisierung für konstante Leistung unter Last

Welche Bedeutung hat der niedrige On-Widerstand in diesem MOSFET?

Ein niedriger Durchlasswiderstand verringert die Leistungsverluste und erhöht den Wirkungsgrad, was für Hochleistungsanwendungen entscheidend ist.

Kann das Produkt in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?

Ja, er arbeitet effektiv bis zu einer maximalen Sperrschichttemperatur von +175°C und eignet sich für anspruchsvolle Anwendungen.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?

Die Gate-Schwellenspannung von 2V bis 4V gewährleistet ein effektives Schalten und ermöglicht eine präzise Steuerung in verschiedenen Schaltungsdesigns.

Welche Art der Befestigung ist für dieses Gerät geeignet?

Dieser MOSFET ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, was eine sichere Installation in zahlreichen Anwendungen ermöglicht.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.