Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
541-0042
Herst. Teile-Nr.:
IRFP250NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

123nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.3mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 214W maximale Verlustleistung - IRFP250NPBF


Dieser Leistungs-MOSFET wurde für hohe Leistungen in verschiedenen elektronischen Anwendungen entwickelt. Als N-Kanal-MOSFET verstärkt er effizient den Stromfluss beim Anlegen einer Spannung. Er zeichnet sich durch seine Fähigkeit aus, hohe Stromstärken zu bewältigen und gleichzeitig einen niedrigen On-Widerstand beizubehalten, was ihn für leistungsintensive Anwendungen geeignet macht.

Eigenschaften und Vorteile


• Ein kontinuierlicher Ableitstrom von 30 A sorgt für robuste Leistung

• Die Verlustleistung von 214 W eignet sich für Anwendungen mit hoher Beanspruchung

• Maximale Drain-Source-Spannung von 200 V trägt zur Zuverlässigkeit des Geräts bei

• Niedriger Rds(on) von 75 mΩ minimiert den Energieverlust während des Betriebs

• Der Enhancement-Modus verbessert die Kontrolle und die Effizienz von Schaltkreisanwendungen

• Kompatibel mit TO-247AC-Gehäuse für nahtlose Integration in bestehende Systeme

Anwendungsbereich


• Stromversorgungen für die industrielle Automatisierung

• Ansteuerung von Hochstromlasten in elektronischen Schaltungen

• Umrichter und Wechselrichter in erneuerbaren Energiesystemen

• Motorsteuerung die ein schnelles Umschalten erfordern

Wie verhält sich dieser MOSFET bei hohen Temperaturen?


Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C funktioniert er auch in Umgebungen mit hoher Temperaturbelastung und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung unter Stress.

Was sind die Auswirkungen des angegebenen Widerstands?


Ein niedriger Rds(on) von 75 mΩ führt zu geringeren Leistungsverlusten, verbessert die Gesamteffizienz und verringert die Wärmeentwicklung während des Betriebs.

Ist dieses Gerät für gepulste Anwendungen geeignet?


Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 120 A verarbeiten und eignet sich daher für Kurzzeit- und Hochstromanwendungen.

Wie wird die Gate-Spannung während des Betriebs verwaltet?


Der Baustein eignet sich für einen Bereich von Gate-to-Source-Spannungen von -20 V bis +20 V und bietet damit Flexibilität für verschiedene Steuerschaltungen.

Welche Bedeutung haben die Lawinenkennzahlen?


Die Einzelimpuls-Lawinenenergie von 315 mJ zeigt, dass das Gerät in der Lage ist, kurzzeitige Energiespitzen zu überstehen, und somit im Fehlerfall geschützt ist.

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