Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 541-0761
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-381
Herst. Teile-Nr.:: IRFZ24NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET Serie MOSFET, 17A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 45W maximale Verlustleistung - IRFZ24NPBF

Dieser MOSFET wurde entwickelt, um eine außergewöhnliche Leistung in einer Reihe von elektronischen Anwendungen zu bieten. Es dient als Schlüsselkomponente in Automatisierungs- und Steuerungssystemen und erhöht sowohl die Effizienz als auch die Zuverlässigkeit. Seine Fähigkeiten sind entscheidend für die Optimierung des Systembetriebs in der elektrischen und mechanischen Industrie.

Eigenschaften und Vorteile

• Hohe Strombelastbarkeit von bis zu 17 A für anspruchsvolle Anwendungen
• Maximale Betriebsspannung von 55 V für vielfältigen Einsatz
• Niedriger RDS(on) für minimalen Leistungsverlust während des Betriebs
• Hohe thermische Toleranz bis zu +175°C für gleichbleibende Zuverlässigkeit
• Durchgangslochmontage für einfache Installation und Wartung
• Nutzt den Anreicherungsmodus für eine verbesserte Kontrolle in Schaltkreisen

Anwendungsbereich

• Einsatz in Energiemanagementsystemen zur Verbesserung der Effizienz
• Geeignet für Motorsteuerung die hohen Strom benötigen
• In der Automobilelektronik für robuste Leistung eingesetzt
• Ideal für HLK-Systeme, bei denen es auf Zuverlässigkeit ankommt
• Anwendung in Systemen für erneuerbare Energien zur Verbesserung der Haltbarkeit

Welcher Betriebstemperaturbereich ist für eine optimale Leistung geeignet?

Das Produkt arbeitet effektiv bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und gewährleistet eine lange Lebensdauer unter verschiedenen Bedingungen.

Wie kann ich dies in meinen aktuellen Schaltkreisentwurf integrieren?

Er verfügt über ein TO-220AB-Gehäuse, das die Integration in bestehende Systeme unter Verwendung von Standard-PCB-Layouts vereinfacht.

Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?

Stellen Sie sicher, dass der Montagebereich sauber ist, und verwenden Sie ein geeignetes Wärmemanagement, um die Leistung zu maximieren und hitzebedingte Probleme zu minimieren.

Kann es dauerhaft hohe Ströme verarbeiten?

Dieses Produkt unterstützt einen kontinuierlichen Ableitstrom von bis zu 17 A und eignet sich damit für Anwendungen mit hohen Anforderungen.

Welche Parameter sollte ich für einen optimalen Betrieb überwachen?

Überwachen Sie die Drain-Source-Spannung, um sicherzustellen, dass sie innerhalb sicherer Grenzen bleibt, insbesondere unter 55 V.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	17 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	45 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.69mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.54mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	20 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Höhe	8.77mm