Teile-Nr.

HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin

RS Best.-Nr.:
541-1247
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ34NPBF
Marke:
Infineon
Infineon
Group 63D

133 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
1261 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Add to Basket
Stück

Im Warenkorb

Preis pro Stück

1,31 €

(ohne MwSt.)

1,56 €

(inkl. MwSt.)

StückPro Stück
1 - 91,31 €
10 - 141,18 €
15 - 191,04 €
20 - 240,99 €
25 +0,92 €
RS Best.-Nr.:
541-1247
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ34NPBF
Marke:
Infineon

Rechtliche Anforderungen


Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon




Technische Daten

EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.30 A
Drain-Source-Spannung max.55 V
GehäusegrößeTO-220AB
Montage-TypDurchsteckmontage
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.35 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.2V
Gate-Schwellenspannung min.1V
Verlustleistung max.68 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.–16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Betriebstemperatur max.+175 °C
SerieHEXFET
Gate-Ladung typ. @ Vgs25 nC @ 5 V
Transistor-WerkstoffSi
Höhe8.77mm
Betriebstemperatur min.-55 °C
133 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
1261 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Add to Basket
Stück

Im Warenkorb

Preis pro Stück

1,31 €

(ohne MwSt.)

1,56 €

(inkl. MwSt.)

StückPro Stück
1 - 91,31 €
10 - 141,18 €
15 - 191,04 €
20 - 240,99 €
25 +0,92 €