Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 49 A 94 W, 3-Pin IRFZ44NPBF TO-220

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RS Best.-Nr.:
540-9777
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-384
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ44NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

8.77mm

Breite

4.4 mm

Distrelec Product Id

30341384

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 49A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 94W maximale Verlustleistung - IRFZ44NPBF


Dieser MOSFET ist für Anwendungen in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik konzipiert. Es kann hohe Stromstärken bei geringem Widerstand bewältigen und erhöht so die Effizienz elektronischer Schaltungen. Dank der HEXFET-Technologie bietet der Baustein eine verbesserte Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Nutzt den Erweiterungsmodus für eine reaktionsschnelle Steuerung

• Niedriger Widerstand von 17,5mΩ für effektives Energiemanagement

• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Systemleistung

Anwendungsbereich


• Geeignet für DC-DC-Wandler

• Motorantriebe und Steuerungssysteme

• Systeme für erneuerbare Energien, wie z. B. Solar-Wechselrichter

Welchen Einfluss hat der geringe Widerstand auf die Leistung?


Der niedrige Einschaltwiderstand von 17,5 Ω erhöht die Effizienz, indem er die Energieverluste während des Betriebs minimiert, was bei Hochstromschaltungen von Vorteil ist.

Wie wirkt sich die Temperatur auf den kontinuierlichen Drainstrom aus?


Der kontinuierliche Ableitstrom beträgt 49 A bei 25 °C und sinkt auf 35 A bei 100 °C, was eine sichere Verwendung in unterschiedlichen Umgebungen gewährleistet.

Kann diese Komponente wiederkehrende Lawinenbedingungen bewältigen?


Ja, es ist so konstruiert, dass es wiederholten Lawinenbedingungen standhält, mit einem Lawinenstrom von bis zu 25 A und einer Lawinenenergie von 9,4 mJ, was eine zusätzliche Haltbarkeit gewährleistet.

Für welche Art von Anwendungen eignet sich dieser MOSFET am besten?


Dieses Bauteil eignet sich besonders für Hochleistungsanwendungen, einschließlich industrieller Automatisierungssteuerungen und Automobilsystemen, die eine effiziente Energieumwandlung erfordern.

Ist sie mit Standard-PCB-Designs kompatibel?


Ja, sein TO-220AB-Gehäuse ist in verschiedenen PCB-Layouts weit verbreitet und ermöglicht eine unkomplizierte Integration in bestehende Designs.

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