Vishay Einfach N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 8.5 A 167 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 541-1938
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB9N65APBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 541-1938
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- IRFB9N65APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 930mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 930mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
N-Kanal-MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Vishay Semiconductor
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