NXP N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 10 V / 30 mA 200 mW, 4-Pin CMPAK
- RS Best.-Nr.:
- 626-2169
- Herst. Teile-Nr.:
- BF1201WR,115
- Marke:
- NXP
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- Marke:
- NXP
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | NXP | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 10 V | |
| Gehäusegröße | CMPAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Gate-Source Spannung max. | +6 V | |
| Breite | 1.35mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 2.2mm | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Höhe | 1mm | |
| Leistungsverstärkung | 33,5 dB | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke NXP | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 30 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 10 V | ||
Gehäusegröße CMPAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Gate-Source Spannung max. +6 V | ||
Breite 1.35mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 2.2mm | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Höhe 1mm | ||
Leistungsverstärkung 33,5 dB | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, NXP
Hinweis
NXP ist eine Marke von NXP B.B.
MOSFET-Transistoren, NXP
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